جدید فروش ویژه ! No picture مشاهده عکس بزرگتر

مطالعه ی نظری اثر فوتورسانندگی ماندگار در ساختارهای دورآلاییده معکوس P-Si/SiGe/Si

مطالعه­ ی نظری اثر فوتورسانندگی ماندگار در ساختارهای دورآلاییده معکوس P-Si/SiGe/Si

فرمت محصول : word

جدید

14,900 تومان

توضیحات

چکیده

 

به ­دلیل انفصال (عدم پیوستگی) در نوار ظرفیت ساختارهای Si/SiGe/Siکه به روش برآرایی پرتو­مولکولی (MBE)رشد یافته ­اند، یک چاه ­کوانتومی در لایه SiGe شکل خواهد گرفت.

اگر قسمتی از لایه Si به ناخالصی نوع p آلاییده باشد ، حفره ­های وابسته به آلاینده ­ها به چاه کوانتومی منتقل می­شوند . بنابراین یک گاز حفره­ای دو­بعدی (2DHG) در سطح میانی نزدیک لایه­آلاینده تشکیل می­شود ، که این ساختار دورآلاییده نامیده می­شود.

چگالی سطحی گاز حفره­­ای دو­­بعدی نه تنها به پارامترهای ساختار نظیر ضخامت لایه ­جداگر و لایه­ پوششی و چگالی سطحی حامل­ های لایه­پوششی بستگی دارد بلکه تابش نور به این ساختار باعث تغییر آن می­شود .

تجربه نشان می­دهد که با تابش نور قرمز به این ساختار در دمای ،چگالی گاز حفره­ای دوبعدی(2DHG) موجود در چاه ­کوانتومی(SiGe) و رسانندگی آن افزایش می­یابد و این ویژگی تا ساعتها پس از تابش نور ادامه دارد و به این پدیده فوتورسانندگی ماندگار (ppc) گویند.

در این پایان­ نامه ، ابتدا به شرح ساختارهای دورآلاییده Si/SiGe/Si می­پردازیم و سپس اثر فوتورسانندگی ماندگار (ppc) در ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si مورد تجزیه و تحلیل قرار می­گیرد.

نتایج موید این است که این افزایش، ناشی از جذب نور در لایه­ پوششی Si و تولید زوج الکترون-حفره و به تبع آن خنثی ­شدن بارهای ­سطحی Si می­باشد . این نتایج نظری با نظریه و نتایج تجربی حاصل از کار افرادی چون استدنیک (Stadnik) همخوانی دارد .

نقد و بررسی کاربران

هیچ نقدی هم اکنون وجود ندارد

سبد خرید 0 محصول محصول‌ها (خالی)    

سبد خرید من

هیچ محصولی وجود ندارد

ارسال رایگان! ارسال
0 تومان مجموع

پرداخت مشاهده

خانه

محصولات جدید

خبرنامه